1. Perbezaan struktur
Ia terutamanya dicerminkan dalam kedudukan sampel yang berbeza dalam laluan optik rasuk elektron. Sampel TEM berada di tengah-tengah pancaran elektron, sumber elektron memancarkan elektron di atas sampel, selepas melalui pemeluwap, dan kemudian menembusi sampel, kanta elektromagnet susulan terus menguatkan pancaran elektron, dan epifisis ditayangkan pada skrin pendarfluor; sampel SEM berada dalam rasuk elektron. Pada akhirnya, pancaran elektron yang dipancarkan oleh sumber elektrik di atas sampel dikurangkan oleh beberapa peringkat kanta elektromagnet dan sampai ke sampel. Sudah tentu, struktur sistem pemprosesan sampingan pengesanan isyarat seterusnya juga akan berbeza, tetapi tidak ada perbezaan yang ketara dari segi prinsip fizikal asas.
2. Prinsip kerja asas
Mikroskop elektron penghantaran: Apabila pancaran elektron melalui sampel, ia akan berselerak dengan atom dalam sampel. Elektron yang melalui titik tertentu pada sampel pada masa yang sama berada dalam arah yang berbeza. Titik pada sampel ini adalah antara 1-2 kali panjang fokus kanta objektif. Elektron ditumpu semula selepas dibesarkan oleh kanta objektif, membentuk imej sebenar yang diperbesarkan bagi titik, yang sama dengan prinsip pengimejan kanta cembung. Terdapat mekanisme pembentukan kontras di sini, dan teori itu tidak dibincangkan secara mendalam, tetapi boleh dibayangkan bahawa jika bahagian dalam sampel benar-benar seragam, tanpa sempadan butiran, dan tanpa struktur kekisi atom, maka imej yang diperbesarkan tidak akan mempunyai sebarang kontras. Bahan jenis ini tidak wujud, jadi ada sebab untuk instrumen jenis ini wujud. Mengimbas mikroskop elektron: Rasuk elektron mencapai sampel, merangsang elektron sekunder dalam sampel, dan elektron sekunder diterima oleh pengesan, melalui pemprosesan isyarat dan memodulasi pancaran cahaya piksel pada paparan, kerana diameter elektron titik rasuk ialah skala nano dan piksel paparan ialah 100 Di atas mikron, cahaya yang dipancarkan oleh 100-piksel mikron dan di atas ini mewakili cahaya yang dipancarkan oleh rantau pada sampel yang teruja oleh rasuk elektron . Penguatan titik objek ini pada sampel dicapai. Jika rasuk elektron diimbas raster di kawasan sampel, kecerahan piksel paparan boleh dimodulasi satu demi satu daripada susunan geometri, dan pengimejan yang diperbesarkan bagi kawasan sampel ini boleh direalisasikan.
3. Keperluan untuk sampel
(1) Mengimbas mikroskop elektron
Penyediaan sampel SEM tidak mempunyai keperluan khas pada ketebalan sampel, dan boleh menggunakan kaedah seperti memotong, mengisar, menggilap atau belahan untuk membentangkan bahagian tertentu, dengan itu mengubahnya menjadi permukaan yang boleh diperhatikan. Jika permukaan sedemikian diperhatikan secara langsung, hanya kerosakan pemprosesan permukaan boleh dilihat. Secara amnya, larutan kimia yang berbeza mesti digunakan untuk etsa keutamaan untuk menghasilkan kontras yang sesuai untuk pemerhatian. Walau bagaimanapun, kakisan akan menyebabkan sampel kehilangan sebahagian daripada keadaan sebenar struktur asal, dan pada masa yang sama memperkenalkan beberapa gangguan buatan.
(2) Mikroskop elektron penghantaran
Oleh kerana kualiti imej mikroskopik yang diperolehi oleh TEM sangat bergantung pada ketebalan sampel, bahagian pemerhatian sampel harus sangat nipis. Contohnya, sampel TEM peranti memori hanya boleh mempunyai ketebalan 10-100 nm, yang membawa kesukaran besar kepada penyediaan sampel TEM. kesukaran. Dalam proses penyediaan sampel, hasil pengisaran manual atau kawalan mekanikal untuk pemula adalah tidak tinggi, dan sampel akan dibuang setelah ia dikisar secara berlebihan. Satu lagi masalah dalam penyediaan sampel TEM ialah kedudukan titik cerapan. Penyediaan sampel am hanya boleh mendapatkan julat pemerhatian yang nipis dengan urutan 10 mm. Apabila kedudukan dan analisis yang tepat diperlukan, sasaran selalunya berada di luar julat pemerhatian. Pada masa ini, penyelesaian yang ideal ialah menggunakan etsa rasuk ion terfokus (FIB).
