Penyimpanan tenaga daripada kapasitor keluaran dalam menukar bekalan kuasa
Pada graf perhubungan cas voltan, kemuatan ditunjukkan sebagai garis pepenjuru, dan tenaga yang disimpan dalam kemuatan ialah kawasan yang terkandung di bawah garisan. Walaupun kemuatan keluaran MOSFET kuasa adalah tak linear dan berbeza-beza bergantung pada voltan longkang, tenaga yang tersimpan dalam kapasitans keluaran masih merupakan kawasan yang terkandung di bawah garisan kapasitans tak linear. Oleh itu, jika kita boleh mencari garis lurus yang memberikan kawasan yang sama dengan kawasan yang terkandung dalam lengkung kemuatan keluaran yang berbeza-beza yang ditunjukkan dalam Rajah. 1, cerun garisan adalah betul-betul kemuatan keluaran setara yang menghasilkan jumlah tenaga tersimpan yang sama.
Bagi sesetengah MOSFET teknologi planar yang lebih lama, pereka bentuk mungkin dapat mencari kemuatan keluaran yang setara menggunakan padanan lengkung berdasarkan nilai kapasitans keluaran dalam helaian data pada voltan sumber saliran yang lazimnya ditetapkan iaitu 25V.
Oleh itu, simpanan tenaga boleh diperolehi daripada persamaan kamiran mudah.
Akhirnya, kapasitans keluaran berkesan ialah
nilai terukur kemuatan keluaran dan lengkung dipasang yang diperolehi daripada Pers. (3). Ia berfungsi dengan baik berbanding MOSFET teknologi lama dalam Rajah 2(a). Walau bagaimanapun, untuk MOSFET yang menggunakan teknologi baru seperti teknologi superjunction, di mana kapasitans keluaran mempunyai lebih banyak ciri tak linear, padanan lengkung eksponen yang mudah kadangkala tidak cukup baik. Rajah 2(b) menunjukkan kemuatan keluaran terukur bagi *MOSFET teknologi baharu dan lengkung terpasang menggunakan persamaan (3). Untuk nilai kapasitans keluaran yang setara, jurang antara kedua-duanya dalam kawasan voltan tinggi membawa kepada perbezaan yang besar, kerana voltan didarab untuk kemuatan dalam persamaan kamiran. Anggaran dalam Rajah 2(b) akan menghasilkan kemuatan setara yang lebih besar, yang boleh mengelirukan reka bentuk awal penukar.
Kemuatan keluaran anggaran, (a) MOSFET lama, (b) MOSFET baharu
Jika nilai kapasitans keluaran berbeza-beza berdasarkan voltan sumber saliran, tenaga yang disimpan dalam kapasitans keluaran boleh didapati menggunakan Persamaan (4). Walaupun lengkung kemuatan ditunjukkan dalam helaian data, tidak mudah untuk membaca nilai kemuatan daripada graf**. Oleh itu, berdasarkan voltan punca saliran, tenaga tersimpan dalam kapasitans keluaran diberikan oleh graf dalam *Helaian Data MOSFET Kuasa Baharu. Menggunakan lengkung yang ditunjukkan dalam Rajah 3, kemuatan keluaran setara pada voltan bas arus terus (DC) yang dikehendaki boleh diperoleh menggunakan Persamaan (5).
