Bagaimana menggunakan multimeter untuk mengukur modul IGBT?
I. Menilai polariti
Pertama, tetapkan multimeter ke gear R × 1K. Apabila mengukur dengan multimeter, jika rintangan antara satu tiang dan dua tiang yang lain tidak terhingga, dan rintangan antara tiang ini dan dua tiang yang lain masih tidak terhingga selepas membalikkan ujian ujian, maka tiang ini dinilai sebagai pintu (g). Kemudian ukur baki dua tiang dengan multimeter. Sekiranya rintangan yang diukur tidak terhingga, dan rintangan lebih kecil selepas membalikkan ujian ujian. Dalam pengukuran dengan nilai rintangan yang lebih kecil, tiang yang disambungkan ke plumbum ujian merah dinilai sebagai pemungut (c), dan tiang yang disambungkan ke plumbum ujian hitam adalah pemancar (e).
Ii. Menilai kualiti
Tetapkan multimeter ke gear R × 10K. Sambungkan ujian hitam membawa kepada pemungut (c) IGBT dan ujian merah membawa kepada pemancar (e) IGBT. Pada masa ini, penunjuk multimeter berada pada kedudukan sifar. Sentuh pintu (g) dan pemungut (c) serentak dengan jari anda. Pada masa ini, IGBT dicetuskan untuk menjalankan, dan penunjuk buaian multimeter ke arah arah rintangan yang lebih kecil dan boleh berhenti pada kedudukan tertentu. Kemudian sentuh pintu (g) dan pemancar (e) serentak dengan jari anda. Pada masa ini, IGBT disekat, dan penunjuk multimeter kembali ke sifar. Pada masa ini, ia boleh dinilai bahawa IGBT berada dalam keadaan baik.
Iii. Mana -mana penunjuk - jenis multimeter boleh digunakan untuk mengesan IGBT
Apabila menilai kualiti IGBT, pastikan untuk menetapkan multimeter ke gear R × 10K. Kerana voltan bateri dalaman multimeter dalam gear di bawah R × 1K terlalu rendah, IGBT tidak dapat dihidupkan semasa mengesan kualitinya, dan mustahil untuk menilai kualiti IGBT. Kaedah ini juga boleh digunakan untuk mengesan kualiti transistor kesan medan kuasa (p - MOSFET).
Pengesanan modul IGBT di Inverters:
Tetapkan multimeter digital ke gear ujian diod, dan uji ciri -ciri diod ke hadapan dan terbalik antara C1 dan E1, C2 dan E2 modul IGBT, serta di antara GATE G dan E1, E2 untuk menentukan sama ada modul IGBT berada dalam keadaan yang baik.
Ambil modul fasa enam - sebagai contoh. Keluarkan wayar fasa U, V, dan W pada bahagian beban. Gunakan gear ujian diod. Sambungkan ujian merah ke P (Pemungut C1) dan ujian hitam membawa kepada U, V, dan W pada gilirannya. Nilai yang dipaparkan pada multimeter adalah maksimum. Membalikkan ujian ujian, sambungkan ujian ujian hitam ke P, dan ujian merah membawa kepada U, V, dan W. Nilai yang dipaparkan pada multimeter adalah kira -kira 400. Kemudian sambungkan ujian merah kepada N (emitter E2), dan ujian hitam ke U, V, dan W. Nilai yang dipaparkan pada multimeter adalah kira -kira 400. Ciri -ciri ke hadapan dan terbalik antara setiap fasa harus sama. Sekiranya terdapat perbezaan, ia menunjukkan bahawa prestasi modul IGBT telah merosot dan ia harus diganti. Apabila modul IGBT rosak, hanya keadaan pecahan dan litar pintas akan berlaku.
Gunakan ujian merah dan hitam membawa untuk mengukur ciri -ciri ke hadapan dan terbalik antara Gate G dan Emitter E masing -masing. Jika nilai -nilai yang diukur oleh multimeter dua kali adalah maksimum, ia dapat ditentukan bahawa pintu modul IGBT adalah normal. Jika nilai dipaparkan, ia menunjukkan bahawa prestasi pintu telah merosot, dan modul ini harus diganti. Apabila keputusan ujian ke hadapan dan terbalik adalah sifar, ini bermakna bahawa pintu fasa yang dikesan telah dipecahkan dan pendek - litar. Apabila pintu gerbang rosak, tiub pengatur voltan di papan litar yang melindungi pintu juga akan dipecahkan dan rosak.
