Cara menggunakan multimeter untuk menguji modul igbt
1. Penghakiman kekutuban
Mula-mula, tetapkan multimeter kepada blok R×1K. Apabila mengukur dengan multimeter, jika nilai rintangan tiang tertentu dan dua tiang lain adalah tidak terhingga, dan nilai rintangan tiang dan dua tiang lain masih tidak terhingga selepas menukar petunjuk ujian, maka ia dinilai bahawa pintu masuk tiang ini (G). Baki dua tiang diukur dengan multimeter. Jika rintangan yang diukur adalah tidak terhingga, rintangan yang diukur adalah lebih kecil selepas menukar petunjuk ujian. Dalam satu pengukuran nilai rintangan kecil, ia dinilai bahawa petunjuk ujian merah disambungkan kepada pengumpul (C); plumbum ujian hitam disambungkan kepada pemancar (E).
2. Menilai baik atau buruk
Pusingkan multimeter ke blok R×10K, sambungkan plumbum ujian hitam ke pengumpul (C) IGBT, dan sambungkan plumbum ujian merah ke pemancar (E) IGBT. Pada masa ini, penunjuk multimeter berada pada sifar. Sentuh pagar (G) dan pengumpul (C) dengan jari anda pada masa yang sama, pada masa ini IGBT dicetuskan untuk mengalir, penunjuk multimeter berayun ke arah rintangan yang lebih kecil, dan boleh berdiri dan menunjukkan pada kedudukan tertentu. Kemudian sentuh gerbang (G) dan pemancar (E) dengan jari anda pada masa yang sama, pada masa ini IGBT disekat, dan penunjuk multimeter kembali kepada sifar. Pada masa ini, ia boleh dinilai bahawa IGBT adalah baik.
3. Mana-mana multimeter penunjuk boleh digunakan untuk mengesan IGBT
Ambil perhatian bahawa apabila menilai sama ada IGBT adalah baik atau buruk, multimeter mesti ditetapkan kepada gear R×10K. Oleh kerana voltan bateri dalaman multimeter di bawah gear R×1K terlalu rendah, IGBT tidak boleh dihidupkan semasa menguji sama ada ia baik atau buruk, dan adalah mustahil untuk menilai sama ada IGBT itu baik atau buruk. . Kaedah ini juga boleh digunakan untuk mengesan sama ada transistor kesan medan kuasa (P-MOSFET) adalah baik atau buruk.
Pengesanan modul IGBT penyongsang:
Pusingkan multimeter digital ke kedudukan ujian diod, dan uji ciri diod hadapan dan belakang antara modul IGBT c1 e1, c2 e2 dan antara get G dan e1, e2 untuk menilai sama ada modul IGBT masih utuh.
Ambil modul enam fasa sebagai contoh. Tanggalkan wayar fasa U, V dan W pada bahagian beban, gunakan gear ujian diod, sambungkan plumbum ujian merah ke P (pengumpul c1), dan ukur U, V, W mengikut urutan dengan petunjuk ujian hitam, dan multimeter akan memaparkan nilai maksimum; Sambungkan petunjuk ujian kepada P, ukur U, V dan W dengan petunjuk ujian merah, dan multimeter akan memaparkan nilai kira-kira 400. Kemudian sambungkan petunjuk ujian merah kepada N (pemancar e2), ukur U, V dan W dengan petunjuk ujian hitam, dan multimeter akan memaparkan nilai kira-kira 400; sambungkan petunjuk ujian hitam ke P, ukur U, V dan W dengan petunjuk ujian merah, dan multimeter akan memaparkan nilai maksimum. Ciri ke hadapan dan belakang bagi setiap fasa hendaklah sama. Sekiranya terdapat perbezaan, bermakna prestasi modul IGBT telah merosot dan perlu diganti. Apabila modul IGBT rosak, hanya litar pintas kerosakan berlaku.
Petunjuk ujian merah dan hitam masing-masing mengukur ciri positif dan negatif antara grid G dan pemancar E, dan nilai yang diukur oleh multimeter adalah maksimum dua kali, dan boleh dinilai bahawa pintu masuk modul IGBT adalah normal. Jika terdapat nilai berangka yang dipaparkan, prestasi elektrod get merosot, dan modul harus diganti. Apabila keputusan ujian positif dan negatif adalah sifar, ini bermakna pintu fasa yang dikesan telah rosak dan litar pintas. Apabila pintu pagar rosak, tiub pengatur voltan yang melindungi pintu pagar papan litar juga akan rosak dan rosak.
