Teknik dan Kaedah Mengukur Transistor dengan Multimeter
Diskriminasi elektrod transistor dan jenis tiub
(1) Kaedah pemeriksaan visual
① Pengenalpastian jenis paip
Secara amnya, sama ada jenis paip ialah NPN atau PNP harus dibezakan dengan model yang ditanda pada cangkerang paip. Mengikut piawaian menteri, digit kedua (huruf) model transistor, A dan C mewakili tiub PNP, B dan D mewakili tiub NPN, contohnya:
3AX ialah transistor kuasa rendah frekuensi rendah jenis PNP, dan 3BX ialah transistor kuasa rendah frekuensi rendah jenis NPN
3CG ialah transistor kuasa rendah frekuensi tinggi jenis PNP, dan 3DG ialah transistor kuasa rendah frekuensi tinggi jenis NPN
3AD ialah transistor kuasa tinggi frekuensi rendah jenis PNP, dan 3DD ialah transistor kuasa tinggi frekuensi rendah jenis NPN
3CA ialah transistor kuasa tinggi frekuensi tinggi jenis PNP, dan 3DA ialah transistor kuasa tinggi frekuensi tinggi jenis NPN
Selain itu, terdapat siri 9011-9018 tiub berkuasa rendah frekuensi tinggi yang popular di peringkat antarabangsa, kecuali tiub PNP untuk 9012 dan 9015, yang kesemuanya adalah tiub jenis NPN.
② Diskriminasi Tiang Tiub
Transistor kuasa kecil dan sederhana yang biasa digunakan mempunyai cangkerang pekeliling logam dan pembungkusan plastik (separa silinder). Rajah T305 memperkenalkan tiga bentuk tipikal dan kaedah susunan elektrod.
(2) Menggunakan multimeter untuk menentukan julat rintangan
Terdapat dua persimpangan PN di dalam transistor, yang boleh digunakan untuk membezakan tiga kutub e, b, dan c menggunakan julat rintangan multimeter. Dalam kes pelabelan model kabur, kaedah ini juga boleh digunakan untuk membezakan jenis paip.
① Diskriminasi asas
Apabila membezakan elektrod transistor, elektrod asas perlu disahkan terlebih dahulu. Untuk tiub NPN, sambungkan plumbum hitam ke tapak yang diandaikan dan plumbum merah ke dua kutub yang lain. Jika rintangan yang diukur adalah kecil, ia adalah kira-kira beberapa ratus hingga beberapa ribu ohm; Apabila kuar hitam dan merah ditukar, rintangan yang diukur adalah agak tinggi, melebihi beberapa ratus kiloohms. Pada ketika ini, kuar hitam disambungkan ke elektrod asas. Tabung PNP, keadaan adalah bertentangan. Apabila mengukur, apabila kedua-dua simpang PN dipincang positif, kuar merah disambungkan ke elektrod asas.
Malah, asas transistor kuasa rendah biasanya disusun di tengah-tengah tiga pin. Kaedah di atas boleh digunakan untuk menyambungkan probe hitam dan merah ke pangkalan masing-masing, yang bukan sahaja dapat menentukan sama ada dua persimpangan PN transistor adalah utuh (sama dengan kaedah pengukuran untuk persimpangan PN diod), tetapi juga mengesahkan tiub taip.
② Diskriminasi antara pengumpul dan pemancar
Selepas menentukan elektrod asas, anggap bahawa salah satu pin yang tinggal ialah elektrod pengumpul c dan satu lagi ialah elektrod pemancar e. Gunakan jari anda untuk mencubit elektrod c dan b masing-masing (iaitu, gunakan jari anda untuk menggantikan rintangan asas Rb). Pada masa yang sama, hubungi dua kuar multimeter dengan c dan e masing-masing. Jika tiub yang diuji ialah NPN, gunakan kuar hitam untuk menghubungi kutub c dan kuar merah untuk menyambung kutub e (bertentangan dengan tiub PNP), dan perhatikan sudut pesongan penunjuk; Kemudian tetapkan pin lain sebagai kutub c, ulangi proses di atas, dan bandingkan sudut pesongan penunjuk yang diukur dua kali. Yang lebih besar menunjukkan bahawa IC adalah besar, dan tiub berada dalam keadaan yang diperbesarkan. Andaian yang sepadan untuk kutub c dan e adalah betul.
2. Pengukuran mudah prestasi transistor
(1) Ukur ICEO dan
Elektrod asas terbuka, dan plumbum hitam multimeter disambungkan ke pengumpul c tiub NPN, manakala plumbum merah disambungkan ke pemancar e (bertentangan dengan tiub PNP). Pada masa ini, nilai rintangan yang tinggi antara c dan e menunjukkan ICEO yang rendah, manakala nilai rintangan yang rendah menunjukkan ICEO yang tinggi.
Gantikan rintangan asas Rb dengan jari anda dan ukur rintangan antara c dan e menggunakan kaedah di atas. Jika nilai rintangan adalah jauh lebih kecil daripada apabila tapak dibuka, ia menunjukkan bahawa nilai Tinggi.
(2) Gunakan multimeter untuk mengukur julat hFE
Sesetengah multimeter mempunyai julat hFE, dan faktor penguatan semasa boleh diukur dengan memasukkan transistor mengikut kekutuban yang ditentukan pada meter , jika Jika ia sangat kecil atau sifar, ia menunjukkan bahawa transistor telah rosak. Dua simpang PN boleh diukur menggunakan julat rintangan untuk mengesahkan sama ada terdapat kerosakan atau litar terbuka.
3. Pemilihan triod semikonduktor
Pemilihan transistor hendaklah terlebih dahulu memenuhi keperluan peralatan dan litar, dan kedua mematuhi prinsip pemuliharaan. Mengikut tujuan yang berbeza, faktor-faktor berikut secara amnya harus dipertimbangkan: kekerapan operasi, arus pengumpul, kuasa lesap, pekali penguatan arus, voltan pecahan terbalik, kestabilan, dan penurunan voltan tepu. Faktor-faktor ini mempunyai hubungan yang saling mengekang, dan apabila memilih pengurusan, percanggahan utama harus difahami sambil mempertimbangkan faktor sekunder.
Kekerapan ciri fT tiub frekuensi rendah biasanya di bawah 2.5MHz, manakala fT tiub frekuensi tinggi berjulat dari puluhan MHz hingga ratusan MHz atau lebih tinggi. Apabila memilih paip, fT hendaklah 3-10 kali kekerapan kerja. Pada dasarnya, tiub frekuensi tinggi boleh menggantikan tiub frekuensi rendah, tetapi kuasa tiub frekuensi tinggi secara amnya agak kecil dan julat dinamik adalah sempit. Apabila menggantikan, perhatian harus diberikan kepada keadaan kuasa.
Harapan umum Pilih saiz yang lebih besar, tetapi ia tidak semestinya lebih baik. Terlalu tinggi dengan mudah boleh menyebabkan ayunan teruja sendiri, apatah lagi purata Operasi paip tinggi selalunya tidak stabil dan banyak dipengaruhi oleh suhu. biasanya Berbilang pilihan antara 40 dan 100, tetapi dengan hingar rendah dan paip Nilai hingar tinggi (seperti 1815, 9011-9015, dll.), Kestabilan suhu masih baik apabila nilainya mencapai beberapa ratus. Di samping itu, untuk keseluruhan litar, pemilihan juga harus berdasarkan penyelarasan semua peringkat . Sebagai contoh, untuk peringkat sebelumnya Tinggi, tahap terakhir boleh digunakan Paip bawah; Sebaliknya, tahap sebelumnya menggunakan Tahap yang lebih rendah boleh digunakan untuk peringkat kemudian Paip yang lebih tinggi.
Voltan pecahan terbalik UCEO pemancar pengumpul hendaklah dipilih lebih besar daripada voltan bekalan kuasa. Lebih kecil arus penembusan, lebih baik kestabilan suhu. Kestabilan tiub silikon biasa adalah lebih baik daripada tiub germanium, tetapi penurunan voltan tepu tiub silikon biasa adalah lebih besar daripada tiub germanium, yang boleh menjejaskan prestasi litar tertentu. Ia harus dipilih mengikut situasi khusus litar. Apabila memilih kuasa dissipative transistor, margin tertentu harus ditinggalkan mengikut keperluan litar yang berbeza.
Untuk transistor yang digunakan dalam penguatan frekuensi tinggi, penguatan frekuensi pertengahan, pengayun dan litar lain, transistor dengan frekuensi ciri tinggi fT dan kapasitans antara kutub kecil harus dipilih untuk memastikan perolehan kuasa tinggi dan kestabilan walaupun pada frekuensi tinggi.
