Pada masa kini, penggunaan laser semikonduktor berkuasa tinggi meliputi hampir semua bidang berteknologi tinggi termasuk aeroangkasa ketenteraan, pengeluaran perindustrian, penjagaan perubatan dan kesihatan, termasuk penyimpanan data, komunikasi gentian optik, fuze laser, teknologi holografik, percetakan imbasan, prestasi hiburan, dll. Sebabnya adalah kerana kelebihannya sendiri, seperti harga yang rendah, integrasi yang kukuh, penggunaan kuasa yang rendah dan kecekapan yang tinggi. 80Laser semikonduktor berkuasa tinggi 8nm ialah sejenis laser semikonduktor yang bermula lebih awal dan dikaji dengan lebih mendalam. Salah satu aplikasinya yang paling penting ialah sebagai sumber pam untuk laser keadaan pepejal. Kini ia pada dasarnya telah menggantikan sumber pam lampu tradisional. Sebab utama ialah Atau kerana kecekapan penukaran yang tinggi yang tidak dapat dicapai oleh pengepam lampu tradisional. 90Laser semikonduktor berkuasa tinggi 5nm tidak berbahaya kepada mata manusia, jadi ia digunakan secara meluas dalam terapi mata laser, penglihatan malam inframerah, realiti maya dan sebagainya. Laser semikonduktor yang direka dalam kertas ini semuanya menggunakan struktur rongga yang besar, yang bukan sahaja dapat meningkatkan ambang kerosakan permukaan rongga bencana, tetapi juga menyekat pengelasan mod pesanan tinggi. Telaga kuantum laser semikonduktor 808nm menggunakan InAlGaAs dan GaAsP masing-masing, dan penggunaan telaga kuantum GaAsP tanpa aluminium bermanfaat untuk meningkatkan kebolehpercayaan peranti. Laser 905nm menggunakan struktur lata terowong rantau berbilang aktif, yang boleh meningkatkan kecekapan kuantum dalaman laser dengan ketara. Kertas kerja ini mengkaji terutamanya laser semikonduktor berkuasa tinggi 808nm dan 9{38}}5nm daripada aspek berikut: Pertama, sejarah pembangunan, status penyelidikan dan aplikasi laser semikonduktor diperkenalkan. Kedua, prinsip kerja dan langkah berjaga-jaga peralatan pertumbuhan wafer epitaxial dan peralatan ujian diterangkan. Di makmal ini, sistem pemendapan wap sebatian logam-organik EMCORE D125 (MOCVD) syarikat Vecco di Amerika Syarikat digunakan untuk pertumbuhan wafer epitaxial. Peralatan ujian ialah sistem ujian spektrum pendarfluor optik PLM{17}} syarikat Philips dan model CV elektrokimia Accent PN44{{40}}0. (ECV) sistem ujian. Kemudian, proses reka bentuk laser semikonduktor telaga kuantum tegang biasa diperkenalkan, termasuk pengiraan celah jalur telaga kuantum tegang, pengiraan susunan jalur, hubungan antara panjang gelombang pengelasan dan komposisi bahan telaga kuantum dan lebar telaga , dsb. Simulasi menggunakan matriks pemindahan berasaskan Kohn-Luttinger Hamiltonian. Berdasarkan teori di atas, simulasi telah dijalankan pada kawasan aktif laser semikonduktor 808nm dan 905nm untuk menentukan komposisi bahan dan lebar telaga telaga kuantum. Telaga kuantum laser semikonduktor 808nm menggunakan 10nm In0.14Al0.11Ga0.75As dan 12nm masing-masing. Telaga kuantum laser semikonduktor GaAs0.84P0.16, 905nm menggunakan 7nm In0.1Ga0.9As, dan kawasan aktif menggunakan struktur telaga kuantum berganda. Lapisan penghalang dan lapisan pandu gelombang bagi laser semikonduktor 808nm dan 905nm ialah Al0.3Ga0.7As, dan lapisan terkurung ialah Al0.5Ga0.5As. Atas dasar ini, pertumbuhan epitaxial MOCVD dijalankan pada struktur kawasan aktif, dan struktur dan keadaan epitaxial dioptimumkan mengikut keputusan ujian PL, dan akhirnya struktur kawasan aktif yang dioptimumkan diperolehi. Akhir sekali, berdasarkan kawasan aktif telaga kuantum selepas pengoptimuman epitaksi, dengan meningkatkan ketebalan lapisan pandu gelombang, lapisan kurungan, lapisan penutup, dll., dan melakukan doping yang sesuai, struktur itu ditanam secara epitaksi oleh sistem epitaksi MOCVD, dan kemudian struktur tertakluk kepada fotolitografi. , kakisan, pemendapan, sputtering, belahan, salutan, pensinteran, kimpalan tekanan, pembungkusan dan lain-lain proses pasca, die laser siap disediakan. Kebaikan dan keburukan prestasi
