Aplikasi Mikroskop dalam Sektor LED Industri Baru Muncul Strategik
LED (Light-Emitting Diod) ialah singkatan untuk diod pemancar cahaya. Bermula dari separuh kedua 2009, pasaran LED mencapai pertumbuhan pesat. Sebagai industri baru muncul yang berkembang pesat, skala industri LED diunjurkan melebihi 500 bilion RMB menjelang 2015, termasuk 160 bilion RMB untuk pencahayaan umum, 120 bilion RMB untuk lampu latar televisyen LCD bersaiz besar, 20 bilion RMB untuk pencahayaan automotif, dan 100 bilion RMB untuk pencahayaan sektor lain, paparan.
Rantaian industri LED boleh dibahagikan secara kasar kepada tiga segmen: pertumbuhan substrat hulu dan fabrikasi wafer epitaxial, pembungkusan cip tengah dan produk aplikasi hiliran. Dalam keseluruhan rantaian industri, pautan teras adalah pertumbuhan substrat dan fabrikasi wafer epitaxial. Kedua-dua segmen ini menampilkan kerumitan teknikal yang tinggi dan menyumbang hampir 70% daripada jumlah nilai keluaran dan keuntungan industri.
Trend Pembangunan Industri LED
Dijejaskan oleh kedua-dua pasaran antarabangsa dan domestik dan dipromosikan oleh Projek Pencahayaan Semikonduktor Kebangsaan, industri LED China pada mulanya telah membentuk rantaian industri yang agak lengkap meliputi bahan substrat hulu, pengeluaran wafer epitaxial LED, fabrikasi cip LED, pembungkusan cip LED dan aplikasi produk LED.
Seperti yang kita sedia maklum, diod pemancar cahaya semikonduktor menampilkan kecekapan penukaran yang tinggi dan hayat perkhidmatan yang panjang. Ia dianggap sebagai sumber cahaya generasi akan datang yang akan menggantikan sumber cahaya konvensional yang sedang digunakan. Namun begitu, berdasarkan prestasi semasa LED, banyak cabaran teknikal masih perlu diatasi untuk mencapai matlamat ini, memerlukan penyelidikan yang lebih intensif dalam pencirian bahan dan teknologi analisis peranti. Untuk teknik analisis yang menyasarkan struktur pembungkusan, struktur cip, komposisi dan keadaan antara muka peranti LED, peralatan seperti mikroskop optik, mikroskop elektron pengimbasan, spektrometer tenaga sinar-X dan spektrometer jisim ion sekunder berfungsi sebagai alat analisis yang sangat diperlukan untuk kegagalan peranti dan analisis struktur, serta pemantauan, penambahbaikan dan pengoptimuman proses epitaxial.
