Aplikasi Mikroskop dalam LED: Industri Baru Muncul Strategik
LED (Light Emitting Diode, singkatan sebagai LED) ialah singkatan untuk Light Emitting Diod. Sejak separuh kedua 2009, pasaran LED telah mengalami lonjakan besar. Sebagai industri baru muncul pertumbuhan tinggi, dijangka menjelang 2015, skala industri LED akan melebihi 500 bilion yuan, termasuk 160 bilion yuan untuk industri pencahayaan am, 120 bilion yuan untuk industri lampu latar TV LCD bersaiz besar-, 20 bilion yuan untuk industri pencahayaan automotif, 160 bilion yuan untuk industri pencahayaan umum, dan 160 bilion yuan untuk paparan umum. industri lain.
Rantaian industri LED boleh dibahagikan secara kasar kepada tiga bahagian, iaitu pertumbuhan substrat hulu, pembuatan wafer epitaxial, pembungkusan cip tengah, dan produk aplikasi hiliran. Dalam keseluruhan rantaian industri, bahagian teras ialah pertumbuhan substrat dan pembuatan wafer epitaxial, yang mempunyai kandungan teknologi yang agak tinggi dan menyumbang hampir 70% daripada nilai keluaran dan keuntungan industri.
Trend pembangunan semasa industri LED dipengaruhi oleh kedua-dua pasaran antarabangsa dan domestik. Didorong oleh Projek Pencahayaan Semikonduktor Kebangsaan, industri LED China pada mulanya telah membentuk rantaian industri yang agak lengkap, termasuk bahan substrat hulu LED, pengeluaran wafer epitaxial LED, penyediaan cip LED, pembungkusan cip LED, dan penggunaan produk LED.
Seperti yang diketahui, diod pemancar cahaya-separa pengalir mempunyai kelebihan seperti kecekapan penukaran yang tinggi dan jangka hayat yang panjang, dan dianggap sebagai sumber cahaya generasi seterusnya yang akan menggantikan sumber cahaya tradisional yang sedang digunakan. Walau bagaimanapun, berdasarkan prestasi semasa diod pemancar cahaya-, masih terdapat banyak kesukaran teknikal untuk diatasi untuk mencapai matlamat ini, dan usaha penyelidikan perlu ditingkatkan dalam analisis bahan dan pencirian, teknologi analisis peranti dan aspek lain. Mikroskop optik, mikroskop elektron pengimbasan, spektrometer tenaga sinar X-, spektrometer jisim ion sekunder dan peralatan lain telah menjadi alat analisis penting untuk kegagalan peranti dan analisis struktur, serta memantau, menambah baik dan mempertingkatkan proses epitaxial dalam struktur pembungkusan peranti diod pemancar cahaya-dan keadaan struktur, komposisi dan antara muka.
