Cara menggunakan multimeter untuk mengukur modul IGBT
1, tentukan polariti
Pertama, tetapkan multimeter ke kedudukan R × 1K. Apabila mengukur dengan multimeter, jika rintangan antara satu tiang dan dua tiang yang lain tidak terhingga dan rintangan antara tiang itu dan dua tiang yang lain masih tak terhingga selepas menukar probe, maka ditentukan bahawa tiang ini adalah pintu (g). Ukur baki dua tiang dengan multimeter. Jika rintangan yang diukur tidak terhingga, gantikan siasatan dan mengukur rintangan yang lebih kecil. Dalam pengukuran nilai rintangan kecil, ditentukan bahawa siasatan merah disambungkan kepada pemungut (c); Siasatan hitam disambungkan ke pemancar (e).
2, menilai baik dari yang buruk
Tetapkan multimeter ke kedudukan R × 10K, sambungkan siasatan hitam ke pemungut (c) IGBT dan probe merah ke pemancar (e) IGBT. Pada ketika ini, penunjuk multimeter berada pada sifar. Sentuh kedua -dua pintu gerbang (g) dan pengumpul (c) dengan jari anda pada masa yang sama, dan IGBT akan dicetuskan untuk dijalankan. Penunjuk multimeter akan berayun ke arah arah rintangan yang lebih rendah dan boleh berhenti menunjukkan kedudukan tertentu. Kemudian sentuh pintu (g) dan pemancar (e) serentak dengan jari anda, dan IGBT disekat, menyebabkan penunjuk multimeter kembali ke sifar. Pada ketika ini, dapat ditentukan bahawa IGBT adalah baik.
3, sebarang multimeter penunjuk boleh digunakan untuk mengesan IGBT
Apabila menilai kualiti IGBT, pastikan untuk menetapkan multimeter ke kedudukan R × 10K, kerana voltan bateri dalaman setiap multimeter di bawah kedudukan R × 1K terlalu rendah, dan IGBT tidak dapat dihidupkan semasa pemeriksaan, menjadikannya mustahil untuk menentukan kualiti IGBT. Kaedah ini juga boleh digunakan untuk mengesan kualiti transistor kesan medan kuasa (P-Mosfets).
Pengesanan Modul IGBT Inverter:
Tetapkan multimeter digital ke mod ujian diod dan uji ciri -ciri diod ke hadapan dan terbalik antara modul IGBT C1 E1, C2 E2, serta antara GATE G dan E1, E2, untuk menentukan sama ada modul IGBT adalah utuh.
Mengambil modul enam fasa sebagai contoh. Keluarkan wayar fasa U, V, dan W pada bahagian beban, gunakan mod ujian diod, sambungkan probe merah ke p (pengumpul C1), dan ukur u, v, dan w secara berurutan dengan probe hitam. Multimeter memaparkan nilai maksimum; Membalikkan siasatan, sambungkan siasatan hitam ke p, dan gunakan probe merah untuk mengukur U, V, dan W. Multimeter memaparkan nilai sekitar 400. Sambungkan probe merah ke N (emitter E2) dan probe hitam untuk mengukur U, V, dan W. Multimeter memaparkan nilai sekitar 400; Sambungkan probe hitam ke p, ukur u, v, dan w dengan siasatan merah, dan multimeter memaparkan nilai maksimum. Ciri -ciri ke hadapan dan terbalik antara setiap fasa harus sama. Sekiranya terdapat perbezaan, ia menunjukkan bahawa prestasi modul IGBT telah merosot dan harus diganti. Apabila modul IGBT rosak, hanya pecahan dan situasi litar pintas berlaku.
Probe merah dan hitam digunakan untuk mengukur ciri -ciri ke hadapan dan terbalik antara pintu g dan pemancar E. Jika multimeter mengukur nilai maksimum dua kali, dapat ditentukan bahawa pintu modul IGBT adalah normal. Sekiranya terdapat paparan berangka, prestasi pintu akan merosot dan modul ini harus diganti. Apabila keputusan ujian ke hadapan dan terbalik adalah sifar, ia menunjukkan bahawa satu pintu fasa yang dikesan telah dipecahkan dan litar pintas. Apabila pintu gerbang rosak, pengatur voltan yang melindungi pintu di papan litar juga akan rosak dan rosak.
